傳台積電進軍3D DRAM 應輝達要求規劃製造、評估建廠 | 科技 | 中央社 CNA

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科技媒體The Information 6日報導,台積電正考慮進軍3D DRAM先進記憶體晶片製造。(中央社檔案照片)
科技媒體The Information 6日報導,台積電正考慮進軍3D DRAM先進記憶體晶片製造。(中央社檔案照片)

(中央社舊金山6日綜合外電報導)科技媒體The Information今天報導,台積電正考慮擴大業務版圖,進軍先進記憶體晶片製造,以便在人工智慧(AI)硬體市場中取得更大的市占率。

The Information引述兩名知情人士指出,台積電應輝達公司(Nvidia)要求,近期已開始規劃一種名為3D DRAM的先進記憶體晶片製造計畫。

台積電與輝達尚未回應路透社的置評請求。

根據報導,台積電可能選擇興建新的先進記憶體晶片工廠,但目前尚不清楚預計何時開始生產。

報導指出,這家全球最大晶片製造商也正在評估收購現有工廠,將其改建為記憶體生產設施,類似美光公司(Micron)今年收購一座晶圓廠並將其改建為DRAM生產設施的做法。

動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片用於在電子裝置中暫時儲存資料。3D DRAM則是一種記憶體架構,透過垂直堆疊記憶體單元以提高容量,而非將其排列在單一水平層上。

根據報導,這項計畫由台積電副總經理徐國晉主導,他負責監督台積電的先進封裝業務。

在台積電可能進軍先進記憶體市場之際,AI快速發展導致記憶體晶片嚴重短缺,已推升價格,促使晶片設計公司積極尋求額外的供應來源。

若台積電進軍先進記憶體市場,將須與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)等公司競爭。(編譯:徐睿承)1151107

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